【编者按】在汽车电动化与人工智能数据中心迅猛发展的今天，高效、高压的功率半导体正成为科技产业的核心驱动力。SK Keyfoundry最新推出的第四代200V高压0.18微米BCD工艺，不仅标志着半导体制造技术的一次重要突破，更精准回应了市场对高性能电源管理方案的迫切需求。这项技术将模拟、数字与高压功率元件集成于单一芯片，显著提升了能效与耐压能力，有望广泛应用于汽车电子、AI服务器、工业控制等领域。随着全球产业向高压化、高集成度快速演进，此类创新工艺或将重塑行业竞争格局，为下一代智能设备注入强劲“芯”动力。

　　SK Keyfoundry于28日宣布，近日正式推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺。这家半导体代工企业已与国内外主要客户展开全面产品开发，目标是在年内启动该工艺的量产。BCD是一项将模拟、数字与高压功率元件集成于单一芯片的半导体制造技术。

　　SK Keyfoundry此次推出新工艺，旨在应对近期汽车电动化与人工智能数据中心普及所带来的高压、高效功率半导体市场需求增长。公司表示：“汽车电压系统正从传统的12V转向48V，AI服务器与数据中心也为最大化能效与功率密度，将直流电压从380V提升至最高800V。能够稳定承受100V以上高压并高效控制电力的工艺技术，其重要性已空前凸显。”

　　SK Keyfoundry发布的第四代BCD工艺，在体现功率效率与高温耐受性的特征导通电阻与击穿电压等关键特性上，较前代提升超过20%。通过为各工作电压提供低导通电阻元件，该工艺最小化了芯片面积与功率损耗，从而确保了技术竞争力。

　　该工艺还提供了厚层间介质选项，可在采用BCD与高压MOSFET的高压、大电流电源管理集成电路中，安全传输数字信号，同时阻隔不必要的高压与噪声。此外，通过提供SRAM、ROM、MTP、OTP等嵌入式存储选项，以及用于精密电机控制的霍尔传感器，进一步增强了设计扩展性。

　　此工艺可应用于高压电源管理与转换芯片、电机驱动器、LED驱动器、电源栅极驱动器等多种产品开发，并满足车规级可靠性标准“AEC-Q100 Grade 0”要求。

　　SK Keyfoundry首席执行官李东宰表示：“200V高压0.18微米BCD工艺的量产是一项重要成果。未来我们将持续优化工艺技术，以满足功率半导体客户的需求。”

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