美国与博世达成2.25亿美元芯片赠款的初步协议

2025-09-08 18:50来源:本站

  

  华盛顿:美国商务部周五表示,已与德国汽车供应商博世达成初步协议,为在加州生产电动汽车关键的碳化硅功率半导体提供高达2.25亿美元的补贴。

  该部门表示,这笔资金将支持博世计划的19亿美元投资,以改造其在加州罗斯维尔的制造工厂,生产SiC功率半导体。商务部还向博世提供了约3.5亿美元的拟议政府贷款。

  美国商务部将利用这笔527亿美元的基金,补贴2022年批准的美国半导体生产和研究。官员们一直在争取在当选总统川普就职前几周敲定主要贷款的条款。

  博世预计,从2026年开始,将在罗斯维尔工厂生产首批200毫米晶圆芯片。SiC芯片是汽车、电信和国防工业的关键部件。该部门表示,它们消耗的能源更少,对提高电动汽车的驾驶和充电效率至关重要。

  2023年,博世收购了总部位于加州的TSI半导体公司的关键资产,并表示生产这种芯片将“严重依赖联邦政府的资助机会”。

  与其他汽车制造商一样,博世也受到了因新冠疫情而加剧的亚洲半导体生产中断的沉重打击。

  今年10月,该部门表示,已与Wolfspeed达成初步协议,为其在北卡罗来纳州新建的碳化硅晶圆制造工厂提供7.5亿美元的赠款。

  商务部表示,当博世工厂满负荷运转时,该项目可能占美国所有SiC器件制造能力的40%以上。

  博世北美总裁Paul Thomas在一份声明中表示:“在罗斯维尔的投资使博世能够在当地生产碳化硅半导体,支持美国消费者走向电气化。”

  参与起草2022年法案的加州民主党众议员多丽丝·松井(Doris Matsui)表示,博世获得的奖金将使他们能够制造“推动清洁交通、电动汽车和其他清洁能源技术发展的关键部件”。

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